类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-92
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（取决于测试条件）

GDZJ4.3B-34T/B具备出色的高频响应特性，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，适合射频放大器和中频放大电路的设计。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，hFE值在不同工作条件下可达到110至800之间，确保了电路设计的灵活性和稳定性。
　　此外，该晶体管具有较高的耐压能力，集电极-基极电压（VCBO）可达50V，集电极-发射极电压（VCEO）为30V，能够在中高压环境下可靠运行。其最大集电极电流为150mA，适用于中等功率的开关和放大应用。
　　GDZJ4.3B-34T/B采用TO-92封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合PCB表面贴装和通孔安装。该封装形式也使得晶体管在各种电子设备中易于集成和维护。
　　由于其优良的电气性能和稳定性，GDZJ4.3B-34T/B广泛应用于音频放大器、射频模块、电源管理、工业控制和通信设备中。此外，该晶体管在环境温度变化较大的应用场景中仍能保持稳定的性能，适应性较强。

GDZJ4.3B-34T/B晶体管适用于多种电子电路设计，主要包括射频放大器、中频放大电路、音频前置放大器等高频和中频信号处理电路。其高频特性使其在无线通信设备、遥控器、对讲机等产品中广泛应用。
　　在工业控制领域，GDZJ4.3B-34T/B可用于传感器信号放大、继电器驱动、马达控制等电路中，提供稳定可靠的开关和放大功能。同时，由于其良好的电流增益特性和较高的耐压能力，该晶体管也可用于电源管理电路、DC-DC转换器和低噪声放大器等应用。
　　此外，GDZJ4.3B-34T/B也常用于消费电子产品，如收音机、音响设备、LED驱动电路等，作为信号放大或开关控制元件。其TO-92封装形式使其易于焊接和安装，适合批量生产和维修更换。

BC547, 2N3904, S9014