时间：2025/12/25 13:36:34
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GDZ6.8是一种齐纳二极管（Zener Diode），由东芝（Toshiba）或其他半导体制造商生产，属于GDZ系列小型表面贴装齐纳二极管。该器件主要用于电压基准、稳压和过压保护等低功率应用场合。GDZ6.8的标称齐纳电压为6.8V，表示在规定的测试电流条件下，其反向击穿电压稳定在6.8V左右，具有较低的动态阻抗和良好的电压稳定性。该型号通常采用SOD-323或SOD-523等小型封装形式，适用于空间受限的便携式电子设备。由于其响应速度快、体积小、可靠性高，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理电路以及信号电平箝位等场景。GDZ6.8工作于反向击穿区时能维持一个相对恒定的电压，从而为敏感电路提供稳定的参考电压或实现电压限制功能。该器件对温度变化具有一定补偿能力，部分型号可能具备较低的温度系数，在一定温度范围内保持更稳定的输出电压。此外，GDZ6.8的功耗一般较低，额定功率多为200mW或300mW，适合用于微功耗系统中的稳压设计。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：6.8V
容差：±5%
测试电流：5mA
最大耗散功率：200mW
封装形式：SOD-323
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
最大反向漏电流：1μA @ 1V
动态阻抗：20Ω @ 5mA
GDZ6.8齐纳二极管的核心特性在于其精确且稳定的电压调节性能。在反向偏置状态下，当外加电压达到其齐纳击穿电压（约6.8V）时，器件进入导通状态，并在其两端维持一个几乎恒定的电压，即使流经它的电流在一定范围内发生变化，电压波动也非常小。这种特性使其成为理想的电压参考源，尤其适用于需要高精度稳压的小信号电路。该器件具有较低的动态阻抗（典型值为20Ω），这意味着在负载变化引起电流波动时，输出电压的变化幅度极小，从而提高了系统的稳定性。同时，GDZ6.8具备良好的温度稳定性，其电压温度系数在额定点附近接近零，减少了因环境温度变化导致的电压漂移问题。该器件采用小型表面贴装封装（如SOD-323），不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。此外，GDZ6.8具有较快的响应速度，能够在瞬态过压事件中迅速导通并钳制电压，有效保护后续电路元件免受损坏。其反向漏电流非常低（通常小于1μA），在待机或低功耗模式下不会造成显著的能量损耗，因此非常适合电池供电设备使用。整体上，GDZ6.8以其高可靠性、紧凑尺寸和优良电气特性，成为众多低压稳压与保护电路中的关键组件。
GDZ6.8广泛应用于各类电子设备中作为电压基准源或过压保护元件。常见用途包括为模拟电路（如运算放大器、ADC/DAC转换器）提供稳定的参考电压；在电源管理系统中用于输出电压采样反馈回路，确保输出电压的精度和稳定性；在接口电路（如USB、I2C、RS-232等）中用作电平箝位二极管，防止静电放电（ESD）或意外高压损坏主控芯片；还可用于电池充电电路中进行电压检测与限幅控制。此外，它也常被集成在传感器模块、智能穿戴设备、无线通信模块和家用电器控制板中，执行局部稳压任务。由于其封装小巧、功耗低，特别适合用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式电子产品中。在工业控制领域，GDZ6.8可用于信号调理电路中的电压限制，保障敏感器件的安全运行。同时，也可作为分立式稳压解决方案替代成本较高的线性稳压器（LDO）用于轻载场景。
MMBZ5237B,MZ2_6.8,ZMM6.8
