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GD5F2GQ5UEYIGR 发布时间 时间:2025/5/23 0:42:59 查看 阅读:18

GD5F2GGigaDevice(兆易创新)的3D NAND Flash存储芯片,采用先进的工艺制程设计。该芯片具备大容量、高可靠性和低功耗的特点,适用于对数据存储性能和稳定性要求较高的场景。其主要功能是提供非易失性存储解决方案,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

参数

容量:256Gb(32GB)
  接口:Toggle Mode 2.0
  封装形式:WLCSP
  电压范围:2.7V~3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  数据保存时间:10年
  擦写寿命:3000次

特性

GD5F2GQ5UEYIGR采用3D NAND技术,相较于传统的平面NAND Flash,在单位面积内能够实现更高的存储密度,同时降低了生产成本。该芯片支持Toggle Mode 2.0接口协议,具有更快的数据传输速率。此外,它还集成了ECC(错误校正码)引擎,有效提升了数据的可靠性和完整性。
  这款芯片在低功耗方面表现出色,待机功耗极低,非常适合电池供电的应用场景。其宽泛的工作温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行,确保数据的安全性和持久性。
  GD5F2GQ5UEYIGR支持多种高级功能,例如坏块管理、损耗均衡和掉电保护等,进一步增强了产品的耐用性和用户体验。

应用

GD5F2GQ5UEYIGR广泛应用于需要大容量存储的场景中,包括但不限于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)、行车记录仪、无人机、智能家居设备、工业自动化系统以及网络通信设备等。由于其高可靠性,也常用于医疗设备和安防监控领域。

替代型号

GD5F1GQ5UEYIGR
  GD5F4GQ5UEYIGR
  KLMRG4QEGM-B031(Toshiba)
  THGAM5HBT2TBA8I(SanDisk)

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