时间：2025/5/23 0:42:59
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GD5F2GGigaDevice（兆易创新）的3D NAND Flash存储芯片，采用先进的工艺制程设计。该芯片具备大容量、高可靠性和低功耗的特点，适用于对数据存储性能和稳定性要求较高的场景。其主要功能是提供非易失性存储解决方案，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
容量：256Gb(32GB)
接口：Toggle Mode 2.0
封装形式：WLCSP
电压范围：2.7V~3.6V
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据保存时间：10年
擦写寿命：3000次
GD5F2GQ5UEYIGR采用3D NAND技术，相较于传统的平面NAND Flash，在单位面积内能够实现更高的存储密度，同时降低了生产成本。该芯片支持Toggle Mode 2.0接口协议，具有更快的数据传输速率。此外，它还集成了ECC（错误校正码）引擎，有效提升了数据的可靠性和完整性。
这款芯片在低功耗方面表现出色，待机功耗极低，非常适合电池供电的应用场景。其宽泛的工作温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行，确保数据的安全性和持久性。
GD5F2GQ5UEYIGR支持多种高级功能，例如坏块管理、损耗均衡和掉电保护等，进一步增强了产品的耐用性和用户体验。
GD5F2GQ5UEYIGR广泛应用于需要大容量存储的场景中，包括但不限于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、行车记录仪、无人机、智能家居设备、工业自动化系统以及网络通信设备等。由于其高可靠性，也常用于医疗设备和安防监控领域。
GD5F1GQ5UEYIGR
GD5F4GQ5UEYIGR
KLMRG4QEGM-B031(Toshiba)
THGAM5HBT2TBA8I(SanDisk)
