类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：15A
　　脉冲漏极电流(IDM)：60A
　　导通电阻(RDS(on))：最大45mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：约27nC
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

2SK3496具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，它的导通电阻非常低，通常为45mΩ或更低，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其次，该器件的漏源电压额定值为60V，使其适用于中高功率应用。此外，2SK3496具有高电流处理能力，能够承受高达60A的脉冲漏极电流，适用于需要高瞬态电流的应用场景。
　　该MOSFET的栅极电荷较低，约为27nC，这意味着它在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的开关损耗。此外，2SK3496采用先进的硅技术，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式多样，包括TO-220和TO-252（DPAK），方便在不同电路设计中使用，同时具备良好的散热性能。
　　该器件的栅源电压额定值为±20V，提供了更高的安全裕度，防止栅极氧化层被击穿。此外，2SK3496的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至10V之间即可实现完全导通，适用于多种驱动电路设计。

2SK3496广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括：
　　1. **DC-DC转换器**：在升压（Boost）和降压（Buck）转换器中作为主开关元件，用于高效转换电压。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。
　　2. **负载开关**：用于控制高电流负载的开启和关闭，例如在电源管理系统中控制电机、风扇或LED照明。
　　3. **电机驱动电路**：在直流电机控制和H桥驱动电路中，用于高效控制电机的正反转和速度调节。
　　4. **电池管理系统**：在电池充电和放电控制电路中，用于实现高效的能量管理。
　　5. **工业自动化设备**：如PLC（可编程逻辑控制器）中的电源管理和开关控制部分。

SiHF60N06EY、IRFZ44N、2SK3495、FDMS86101