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GD25Q256EYIGR 发布时间 时间:2025/7/1 2:14:53 查看 阅读:2

GD25Q256EYIGR是兆易创新(GigaDevice)推出的一款高性能、低功耗的SPI Flash存储器。该芯片采用串行外设接口灵活配置和高可靠性的特点,适用于各种嵌入式系统和消费类电子设备中,提供高达32MB的存储容量。

参数

容量:32MB
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WLCSP16(3mmx3mm)
  数据传输速率:133MHz
  擦写次数:100,000次
  数据保存时间:20年

特性

GD25Q256EYIGR支持标准SPI、双I/O SPI、四I/O SPI以及四通道SPI等模式,能够显著提升数据吞吐量。其深度掉电模式(Deep Power Down)可将待机功耗降低至微安级别,非常适合对功耗敏感的应用场景。
  此外,该芯片还内置了高级安全功能,例如写保护(Write Protect)和一次性编程(OTP)区域,可以有效防止未经授权的数据访问或篡改。
  它具有强大的抗干扰能力,并通过优化设计降低了电磁辐射,确保在复杂环境下的稳定运行。

应用

GD25Q256EYIGR广泛应用于物联网设备、工业控制、通信设备、消费类电子产品等领域。常见的使用场景包括固件存储、代码执行、配置文件保存等功能。例如,在智能家居产品中,它可以用来存储设备的操作系统镜像;在安防监控领域,则可用于记录日志或缓存视频流数据。

替代型号

GD25Q256EWIGR
  MX25L25635FYM
  W25Q256JVSIQ

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GD25Q256EYIGR参数

  • 现有数量2,707现货
  • 价格1 : ¥29.81000剪切带(CT)3,000 : ¥19.90600卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,2.4ms
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(6x8)