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GD25LE32DLIGR 发布时间 时间:2025/5/30 23:08:27 查看 阅读:9

GD25LE32DLIGR是来自兆易创新(GigaDevice)的一款串行闪存芯片,采用SPI接口。该芯片具有32Mbit的存储容量,支持高速读写操作,并且具备低功耗特性,适合应用于需要高效数据存储和访问的场景。
  GD25LE系列以其高可靠性和稳定性著称,广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

参数

存储容量:32Mbit
  工作电压:1.65V~3.6V
  接口类型:SPI
  数据传输速率:最高80MHz
  封装形式:WSON8
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  擦写次数:至少10万次
  数据保持时间:超过20年

特性

GD25LE32DLIGR具有以下主要特性:
  1. 支持标准、双线和四线SPI模式,提供灵活的接口选择。
  2. 内置ECC(错误校正码)功能,能够自动检测和纠正数据错误,提升数据可靠性。
  3. 提供深度掉电模式(Deep Power-down Mode),在不使用时可显著降低功耗。
  4. 支持 sector保护功能,防止意外写入或擦除。
  5. 具有快速写入能力,支持Turbo Write技术,提高整体性能。
  6. 工作温度范围宽广,适用于多种环境条件下的应用需求。
  7. 小型化的封装设计有助于节省PCB空间。

应用

GD25LE32DLIGR适用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如智能家居设备、数码相机等。
  2. 工业自动化控制中的数据记录与程序存储。
  3. 通信设备中固件存储及日志记录。
  4. 物联网终端节点的数据保存。
  5. 医疗设备中的配置信息存储。
  由于其高性能和低功耗的特点,GD25LE32DLIGR特别适合对存储容量和能效要求较高的应用场合。

替代型号

GD25LQ32C, W25Q32JV, MX25L3206E

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GD25LE32DLIGR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织4M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率120 MHz
  • 写周期时间 - 字,页2.4ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳21-XFBGA,WLSCP
  • 供应商器件封装21-WLCSP