类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：250V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：82A（在25°C环境温度下）
　　最大导通电阻(Rds(on))：0.018Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

IXPQ82N25P具有多项优异的电气和物理特性，使其在高性能功率电子设备中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下较低的导通损耗，提高了整体系统效率。其次，其高电流处理能力使其能够应对严苛的负载需求，适用于高功率密度设计。此外，IXPQ82N25P具备快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高响应速度，特别适合高频开关应用。
　　该MOSFET采用TO-247AC封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率应用场景。其栅极驱动要求较低，能够在标准逻辑电平下工作，简化了驱动电路设计。同时，IXPQ82N25P的热阻较低，能够在高温环境下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　在安全性和保护方面，IXPQ82N25P具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发性过压或瞬态条件下保持稳定运行。其设计也支持并联使用，进一步提升系统的电流承载能力和冗余设计能力。

IXPQ82N25P广泛应用于各种高功率和高效率要求的电力电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统、工业自动化控制设备以及电池管理系统等。在电动汽车和可再生能源系统中，该器件也常用于功率调节和能量管理模块。
　　在开关电源设计中，IXPQ82N25P的低导通电阻和快速开关特性可以显著降低导通和开关损耗，从而提高整体效率。在电机控制和驱动系统中，该器件能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行平稳高效。此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明系统、工业加热设备和智能电网相关应用，满足多样化的功率控制需求。

IXFH82N25P, IRFP460LC, STP82N25M5, FQA80N25