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GCQ1555C1H7R8WB01D 发布时间 时间:2025/6/9 9:36:03 查看 阅读:6

GCQ1555C1H7R8WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合大规模自动化生产。

参数

型号:GCQ1555C1H7R8WB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值)
  总功耗:20W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装:TO-263

特性

GCQ1555C1H7R8WB01D的核心优势在于其低导通电阻和高效率表现。其1.5mΩ的典型导通电阻能够显著降低传导损耗,尤其适用于大电流应用场合。
  此外,该器件具有快速开关能力,可有效减少开关损耗,并且具备良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
  内置的ESD保护电路进一步增强了产品的耐用性,使其能够在严苛的工业环境中长期使用。同时,其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间,满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

应用

这款MOSFET广泛用于各类电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)的设计与优化。
  2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)以及逆变器模块。
  5. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。

替代型号

GCQ1555C1H7R8WB02D
  IRF3205
  FDP5500
  STP55NF06L

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GCQ1555C1H7R8WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7.8 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-