GCQ1555C1H6R5DB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,在确保低导通电阻的同时,提供了出色的开关性能和耐热能力。
该型号主要应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等场景。其优化的电气参数使其在高电流和高电压环境下表现出色,同时具备良好的抗干扰能力和可靠性。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):70nC
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高频开关性能,适合高速切换应用场景。
3. 强大的散热能力,能够在高功率条件下长时间稳定运行。
4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
5. 耐雪崩能力优秀,提高了在过载或异常情况下的可靠性。
6. 工作温度范围宽广,适应多种极端环境。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
6. 各类大功率电子设备中的电流调节与保护功能。
IRF540N
FQP50N06L
STP55NF06L