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GCQ1555C1H6R5DB01D 发布时间 时间:2025/6/5 19:43:52 查看 阅读:6

GCQ1555C1H6R5DB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,在确保低导通电阻的同时,提供了出色的开关性能和耐热能力。
  该型号主要应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等场景。其优化的电气参数使其在高电流和高电压环境下表现出色,同时具备良好的抗干扰能力和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高频开关性能,适合高速切换应用场景。
  3. 强大的散热能力,能够在高功率条件下长时间稳定运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
  5. 耐雪崩能力优秀,提高了在过载或异常情况下的可靠性。
  6. 工作温度范围宽广,适应多种极端环境。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  3. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车控制器。
  4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  5. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
  6. 各类大功率电子设备中的电流调节与保护功能。

替代型号

IRF540N
  FQP50N06L
  STP55NF06L

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GCQ1555C1H6R5DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.22884卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6.5 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-