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GCQ1555C1H6R3DB01D 发布时间 时间:2025/6/21 8:07:17 查看 阅读:3

GCQ1555C1H6R3DB01D是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具备高增益、高线性度和低功耗的特点,能够显著提升射频信号的传输距离和质量。
  其设计适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等多制式的移动通信系统,并在基站、中继设备以及其他射频应用中表现出色。

参数

型号:GCQ1555C1H6R3DB01D
  工作频率范围:800MHz - 2700MHz
  输出功率:39dBm(典型值)
  增益:15dB(典型值)
  电源电压:4.8V - 5.5V
  静态电流:300mA(典型值)
  封装形式:BGA-48
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H6R3DB01D具有卓越的性能表现,特别是在射频信号处理方面:
  1. 高效率:芯片内部优化了功放电路设计,使其在大功率输出时仍能保持较高的能量转换效率。
  2. 高线性度:内置预失真技术,可有效降低信号失真,适合对信号质量要求极高的应用场景。
  3. 宽带支持:覆盖800MHz到2700MHz的工作频率范围,兼容多种无线通信标准。
  4. 低噪声系数:通过优化电路结构,确保信号在放大过程中不会引入过多噪声。
  5. 小型化封装:BGA-48封装形式使得器件体积更小,便于集成到紧凑型设计中。

应用

GCQ1555C1H6R3DB01D广泛应用于各种射频相关领域,包括但不限于以下场景:
  1. 基站收发信机:
   提供高效的射频功率放大功能,满足基站设备对远距离通信的需求。
  2. 中继器:
   在信号覆盖不足的区域,利用此芯片实现信号增强。
  3. 移动终端:
   虽然主要定位为基站级产品,但在某些高端手持设备中也能发挥作用。
  4. 工业物联网:
   支持远程监控与数据传输,保障工业网络稳定运行。
  5. 军事通信:
   高可靠性和抗干扰能力使其成为军事领域的理想选择。

替代型号

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  GCQ1555C1H6R3FB01D
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GCQ1555C1H6R3DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.22884卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-