时间：2025/5/7 15:28:00
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SISH625DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高效率性能。它适用于各种开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
这款 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，同时其出色的热性能也使其能够在紧凑的设计中保持稳定运行。
型号：SISH625DN-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.5mΩ
Id（连续漏极电流）：178A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.4V
Qg（总栅极电荷）：46nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
封装：TO-247-3L
SISH625DN-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率转换并减少了功耗。
2. 高额定电流能力 Id 达到 178A，适合大功率应用场景。
3. 采用 TrenchFET 第三代技术设计，提供卓越的开关性能。
4. 具备出色的热稳定性，能够承受较高的工作温度。
5. 总栅极电荷 Qg 低至 46nC，有助于降低开关损耗。
6. 封装形式为 TO-247-3L，便于散热和安装。
7. 可靠性高，支持雪崩能量保护功能，确保在异常条件下安全运行。
SISH625DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率放大和调节组件。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的动力传动系统和电池管理系统。
SISH624DN, SISH626DN
