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GCQ1555C1H360JB01D 发布时间 时间:2025/5/29 23:14:45 查看 阅读:10

GCQ1555C1H360JB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够有效提升系统的效率与稳定性。

参数

型号:GCQ1555C1H360JB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:600V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:10A
  导通电阻Rds(on):0.4Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:200W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

GCQ1555C1H360JB01D具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压:600V,适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为0.4Ω,有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能:优化的内部结构设计使得其开关时间更短,从而降低了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性:能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,适应恶劣环境。
  5. 强大的电流承载能力:支持高达10A的连续漏极电流,满足大功率应用场景的需求。
  6. 封装可靠:采用标准TO-247封装,便于安装和散热管理。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,提供高效的电能转换。
  2. 电机驱动:用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
  3. DC-DC转换器:实现电压升降转换功能,为不同负载供电。
  4. 电池管理系统(BMS):保护电池组免受过充、过放等异常情况的影响。
  5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)中的开关电路。
  6. 新能源领域:例如太阳能逆变器、电动汽车充电桩等。

替代型号

IRFP460N,
  STP10NK60Z,
  FQA18N60C

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GCQ1555C1H360JB01D参数

  • 现有数量15,712现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)10,000 : ¥0.26393卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容36 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-