型号：CL31B102KJNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　电容值：1nF (1000pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：C0G (NP0)
　　温度特性：0 ±30ppm/°C (-55°C ~ +125°C)
　　封装尺寸：0805 (2.0 x 1.25mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥4 GΩ·μF 或 ≥500 MΩ（取较大值）
　　耐久性：在额定电压和125°C下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%，介电损耗角正切增量不超过初始值的两倍

CL31B102KJNE所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料是一种基于钛酸锶的陶瓷配方，具有极高的介电稳定性。这种材料的温度系数几乎为零，典型值为0±30ppm/°C，这意味着在整个工作温度范围内电容值不会发生显著变化。这对于诸如LC谐振电路、时钟振荡器、RF匹配网络和高精度滤波器等应用至关重要，因为任何电容漂移都可能导致频率偏移或信号失真。与X7R、Y5V等高介电常数但稳定性较差的材料相比，C0G虽然单位体积容量较低，但其卓越的线性度和无滞后效应使其成为高性能模拟和射频设计中的首选。
　　该电容器具有非常低的介质损耗（tan δ ≤ 0.1%），意味着能量损耗极小，效率高，特别适合用于高频环境下的去耦和旁路操作。此外，C0G材质不表现出电压依赖性，即施加直流偏压时电容值基本不变，这与高K介质如X5R/X7R存在明显差异——后者在接近额定电压时容量可能下降超过50%。因此，在需要稳定阻抗响应的场合，CL31B102KJNE表现更加可靠。
　　结构上，该MLCC由多个交错的内电极层与陶瓷介质交替堆叠而成，通过高温共烧形成一体化结构，具备优良的机械强度和抗热冲击能力。端电极采用三层电极结构（Ni/Sn），增强了可焊性和耐潮湿性能，符合RoHS指令要求，并支持无铅回流焊工艺。产品经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、湿度寿命试验等，确保在复杂环境条件下长期稳定运行。

CL31B102KJNE因其优异的电气稳定性和频率响应特性，广泛应用于对精度和可靠性要求较高的电子系统中。常见使用场景包括射频前端模块中的阻抗匹配网络，例如在Wi-Fi、蓝牙、蜂窝通信设备中用于天线调谐和滤波电路；也可用于各类振荡器电路（如晶体振荡器、SAW振荡器）中的负载电容，以确保频率输出的高度准确与稳定。
　　在模拟信号链设计中，该电容常被用作高精度运算放大器的反馈补偿元件、有源滤波器中的定时元件或ADC/DAC的参考电压去耦，有效避免因电容非线性导致的信号畸变。同时，由于其低噪声和无压电效应特性，也适用于音频处理电路中的耦合与去耦环节。
　　在数字系统中，尽管大容量去耦多采用X7R或X5R材质，但在关键的高速时钟线路或PLL供电引脚附近，仍会选用C0G类电容进行高频噪声滤除，以提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，该器件还适用于汽车电子中的传感器接口电路、车身控制模块以及工业自动化设备中的精密测量单元，满足AEC-Q200等车规级可靠性标准的部分应用场景需求。

GRM21BR71H102KA93
　　C2012X5R1H102K
　　CL21B102KBNC
　　CC0805KRX7R9BB102
　　RC0805FR-071NL