型号：C8208
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：4.9A
　　脉冲漏极电流（Idm）：19.6A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V, 3.7mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：22ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装类型：SOT-23

C8208 N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其成为众多功率开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。在Vgs=4.5V时，Rds(on)仅为37mΩ，而在更高栅压如10V下可进一步降至23mΩ，这使得它在低电压供电环境中依然能够实现高效的能量传输。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。
　　其次，C8208支持逻辑电平驱动，能够在3.3V甚至更低的栅极电压下充分导通，因此可以直接由微控制器、DSP或其他数字逻辑器件驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其较快的开关速度（开启延迟约8ns，关断延迟约22ns）减少了开关过程中的过渡时间，从而降低了动态损耗，特别适用于高频开关应用如同步整流、PWM调光和DC-DC变换器。
　　再者，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流密度，并增强了热稳定性。其最大结温可达150°C，配合良好的PCB散热设计，可在较严苛的环境条件下稳定运行。此外，输入电容（Ciss）仅为520pF，意味着所需的驱动功率较小，有利于降低驱动IC的负担。
　　最后，C8208采用SOT-23小型封装，体积小巧，便于在空间受限的应用中布局，同时仍保持良好的电气性能和可靠性。内置的体二极管也可用于续流或反向电压保护，在H桥或感性负载驱动中发挥重要作用。综合来看，C8208凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的核心功率元件之一。

C8208广泛应用于各类需要高效、快速开关控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关与电池供电切换电路。由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力，非常适合用于这些对能效和空间要求极为严格的场合。
　　在DC-DC转换器中，C8208常作为同步整流开关使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提升转换效率。尤其是在降压（Buck）拓扑结构中，其快速响应能力和低寄生参数有助于实现更高的开关频率，从而减小外围电感和电容的尺寸，缩小整体电源模块体积。
　　此外，C8208也被广泛用于电机驱动电路中，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为低端或高端开关元件，实现正反转控制和制动功能。其高脉冲电流承载能力（可达19.6A）使其能够应对电机启动时的大电流冲击。
　　在工业控制领域，C8208可用于PLC输出模块、继电器驱动、LED驱动电源以及传感器供电控制等场景。其稳定的电气特性和良好的温度适应性确保了在复杂电磁环境下的可靠运行。同时，在通信设备和网络模块中，C8208可用于热插拔电路中的电源通断控制，防止带电插拔引起的浪涌电流损坏系统。
　　总之，C8208凭借其优异的性能指标和灵活的驱动方式，已成为多种嵌入式系统和功率电子设计中的标准组件之一。

SI2302DS
　　FDS6679A
　　AO3400