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GCQ1555C1H170GB01D 发布时间 时间:2025/5/28 11:52:16 查看 阅读:13

GCQ1555C1H170GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其优化的结构设计使其能够在高频条件下保持高效运行,同时具备出色的热性能和电气稳定性,适用于严苛的工作环境。

参数

型号:GCQ1555C1H170GB01D
  类型:N沟道功率MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:30A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:2800pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GCQ1555C1H170GB01D的主要特性包括:
  1. 低导通电阻:其导通电阻仅为0.05Ω,能够显著降低功耗并提升整体系统效率。
  2. 快速开关能力:该芯片的栅极电荷较小(45nC),从而实现了更快的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高击穿电压:额定电压高达650V,可承受更高的反向电压,增强了系统的可靠性。
  4. 良好的热性能:通过优化的封装设计和材料选择,该器件具备出色的散热能力,确保在高温环境下长期稳定运行。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的宽温度范围,适应各种极端气候条件下的使用需求。
  6. 低噪声设计:通过内部电路优化,减少了开关过程中产生的电磁干扰,提高了系统的EMC性能。

应用

GCQ1555C1H170GB01D广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管用于AC-DC转换器中,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:适用于直流无刷电机、步进电机等驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。
  3. 工业自动化:在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等领域中发挥重要作用。
  4. 新能源系统:用于太阳能逆变器、风能发电系统中的功率调节模块。
  5. 汽车电子:包括电动车充电装置、车载逆变器以及其他车载电子设备。
  6. 其他需要高效功率转换的应用场景,例如不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)等。

替代型号

GCQ1555C1H170GB02D, IRFP460, STP30NF65

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GCQ1555C1H170GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.43700卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容17 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-