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H57V2562GTR-75C 发布时间 时间:2025/5/7 9:23:18 查看 阅读:5

H57V2562GTR-75C 是一款由东芝(Toshiba)生产的静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它主要应用于工业控制、通信设备、医疗设备和其他需要高性能数据存储的领域。
  H57V2562GTR-75C 提供256K x 18 的存储容量,总容量为4.6Mb。其高速访问时间和稳定性使其成为许多嵌入式系统中的关键组件。

参数

存储容量:4.6Mb
  组织方式:256K x 18
  工作电压:1.7V - 1.9V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TQFP100
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:无限
  输入输出配置:三态输出
  接口类型:同步接口

特性

H57V2562GTR-75C 具有以下主要特性:
  1. 高速性能:其7.5ns的访问时间确保了快速的数据传输,适用于对速度要求较高的应用环境。
  2. 超低功耗:通过先进的CMOS工艺,芯片在待机模式下仅消耗极小的电流,非常适合电池供电的应用场景。
  3. 可靠性高:经过严格测试,确保在各种恶劣环境下稳定运行。
  4. 大容量存储:单片即可提供4.6Mb的存储空间,减少了系统设计中所需的外部元件数量。
  5. 同步接口支持:能够与多种微处理器无缝连接,简化了系统集成过程。
  6. 工业级温度范围:能够在-40°C至+85°C范围内正常工作,适应广泛的工作环境。

应用

H57V2562GTR-75C 主要用于以下领域:
  1. 工业自动化:如PLC控制器、机器人控制系统等。
  2. 通信设备:路由器、交换机以及其他网络设备。
  3. 医疗设备:包括超声波仪器、监护仪等对数据存储和处理速度要求高的场合。
  4. 汽车电子:车身控制模块、信息娱乐系统等。
  5. 测试测量设备:示波器、信号发生器等。
  6. 嵌入式系统:作为主处理器的高速缓存或临时数据存储单元。

替代型号

H57V2562GTR-10C, H57V2562GTR-12C

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H57V2562GTR-75C参数

  • 内存配置:16M x 16
  • 访问时间:6ns
  • 接口类型:LVTTL
  • 封装类型:TSOPII
  • 针脚数:54
  • 工作温度范围:0°C 到 +70°C
  • 内存类型:SDRAM
  • 存储器容量:256 Mbit
  • 电压, Vcc:3.3V
  • 表面安装器件:表面安装