您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GCQ1555C1H160FB01D

GCQ1555C1H160FB01D 发布时间 时间:2025/6/5 9:21:14 查看 阅读:8

GCQ1555C1H160FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
  该型号属于沟道型MOSFET,适用于高频开关电路和负载切换场景,能够显著降低能耗并提高系统可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ(典型值,Vgs=10V)
  漏源极耐压(Vds):55V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.2V(典型值)
  连续漏极电流(Id):94A(Tc=25℃)
  封装形式:TO-220AC
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GCQ1555C1H160FB01D具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
  2. 快速开关性能使其非常适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 高电流处理能力支持大功率应用场景。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 封装设计优化了散热性能,便于集成到紧凑型系统中。
  6. 提供增强的ESD保护以提高器件的耐用性和使用寿命。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器及降压/升压模块。
  3. 电动工具和家用电器的电机控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
  6. LED照明驱动电路中的高效功率调节。

替代型号

GCQ1555C1H160FB02D, IRF540N, FDP18N06L

GCQ1555C1H160FB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GCQ1555C1H160FB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.57683卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容16 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-