类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：50mΩ
　　连续漏极电流（ID）：50A（Tc=25°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0（由于SiC MOSFET无体二极管）

TOF50-12S具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其采用的SiC材料使得器件在高温下依然保持稳定的工作状态，且导通损耗显著低于传统的硅基MOSFET或IGBT。其次，该器件的RDS(on)仅为50mΩ，能够在高电流下保持较低的导通压降，从而提高整体能效。
　　此外，TOF50-12S具备极快的开关速度，能够显著降低开关损耗，适用于高频开关应用。由于SiC MOSFET本身不具备体二极管，因此在某些拓扑结构中可以避免反向恢复损耗，进一步提高系统的效率和可靠性。
　　该器件的封装采用标准的TO-247形式，便于散热和安装，适用于各种高功率应用环境。其宽广的工作温度范围也确保了其在极端条件下的稳定运行。

TOF50-12S广泛应用于需要高效率和高频率开关的电力电子系统中。例如，在电动汽车充电系统中，该器件可用于DC-DC转换器或车载充电器，提高能量转换效率并减小系统体积。在太阳能逆变器中，TOF50-12S的高频特性有助于减小无源元件的尺寸，提高系统的功率密度。
　　此外，该器件还可用于工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及高功率密度电源模块设计。由于其优异的热性能，TOF50-12S在高温环境中依然能保持稳定运行，适用于严苛工业环境下的电力转换需求。

SCT3045AL (ROHM), SiC MOSFET 650V/120A TO-247, SiC MOSFET 1200V/60A TO-247