时间：2025/6/10 15:48:28
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GCM155R72A222KA01D 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，主要用于射频和微波应用。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 技术制造，具有高输出功率、高增益和高效率的特点。其设计特别适用于无线通信基础设施、雷达系统、卫星通信以及测试与测量设备等领域。
型号：GCM155R72A222KA01D
封装形式：SMD
工作频率范围：0.5 GHz 至 6 GHz
最大输出功率：50 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
静态电流：3 A
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：15.5 mm x 7.2 mm
插入损耗：≤ 0.5 dB
GCM155R72A222KA01D 的主要特点是其卓越的射频性能。该器件采用氮化镓材料制成，这种材料具有比传统硅更高的电子迁移率和击穿场强，从而使其能够实现更高的功率密度和效率。
GCM155R72A222KA01D 的高增益和宽频带特性使其非常适合于多频段应用。此外，它还具有出色的线性度和稳定性，在高功率放大器设计中表现尤为突出。
由于其紧凑的封装设计，GCM155R72A222KA01D 在空间受限的应用场景中非常实用。同时，它的低热阻特性也有助于提高系统的整体可靠性。
GCM155R72A222KA01D 广泛应用于需要高性能射频功率放大器的场合，包括但不限于：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块
2. 雷达系统中的发射机组件
3. 卫星通信系统中的上变频器和下变频器
4. 测试与测量设备中的信号源和功率放大器
5. 医疗成像设备中的超声波发生器
该器件的高效能和宽频带能力使其成为现代射频系统的核心元件之一。
GCM155R72A222KA02D
GCM155R72A222KA03D
