时间：2025/6/5 17:01:24
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GCG1550C1H360JA01J 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。
其封装形式为 D2PAK (TO-263)，适合表面贴装技术 (SMT) 应用，能够提供高效的功率转换能力，并具备出色的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2800pF
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用环境。
3. 快速开关特性，减少开关损耗并提升动态性能。
4. 优化的热阻设计，确保器件在高负载下的稳定性。
5. 强大的抗雪崩能力，增强系统的可靠性和鲁棒性。
6. 封装紧凑，便于集成到现代电子系统中。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业设备中的逆变器和变频器。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
6. 其他需要高效功率控制的应用场景。
IRFZ44N, FDP5570, STP80NF06L
