GCG1550C1H2R1DA01J 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理和高效能转换应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在各种工业、汽车和消费类电子设备中使用。
其封装形式为 DPAK(TO-263),具备良好的散热性能和电气特性。该器件适用于需要高效率和可靠性的场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
持续漏极电流Id:48A
导通电阻Rds(on):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷Qg:76nC(典型值)
开关时间:ton=9ns,toff=18ns(典型值)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:DPAK(TO-263)
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高开关速度,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 较高的漏极电流能力,能够满足大功率应用场景的需求。
4. 强大的抗静电能力(ESD保护),提高器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 工作温度范围广,适应恶劣环境下的运行需求。
7. 紧凑且高效的封装形式,便于布局与散热管理。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. 电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 多种便携式设备的电池充电管理模块。
5. 高效 DC-DC 转换器的设计与实现。
6. 各类保护电路,如过流保护和短路保护。
GCF1550C1H2R1DA01J, GCG15501J