类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：≤ 0.45Ω（典型值）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-252（DPAK）

UF2010G 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有高耐压特性，漏源电压可达到 200V，适合中高功率的应用需求。UF2010G 还具有较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。
　　该 MOSFET 支持快速开关，具有较低的开关损耗，有助于提高电源转换器的效率。其栅极驱动要求较低，支持常见的 10V 栅极驱动电压即可完全导通，这使其易于与多种驱动电路兼容。此外，UF2010G 的封装设计具有良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而延长器件的使用寿命。
　　该器件还具有较强的抗过载能力和短路保护能力，能够在突发的过载条件下保持正常运行，提升系统的安全性。

UF2010G 通常用于各类电源管理系统，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电器等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该 MOSFET 在太阳能逆变器、马达控制、工业自动化设备以及电动车控制系统中也有广泛应用。
　　在开关电源中，UF2010G 可作为主功率开关使用，提供高效能的功率转换。在马达驱动电路中，该器件能够承受较高的启动电流，并提供快速响应的开关性能，确保马达运行平稳。此外，在电池管理系统中，UF2010G 可用于控制充放电过程，提供可靠的功率控制解决方案。

IRF2004G, FQP20N20C, STP20NK20Z, FDPF20N20