工作频率：45 MHz 至 1218 MHz
　　输出频率范围：104 MHz 至 1794 MHz
　　输出电平：+16 dBm（典型值）
　　输出阻抗：75 欧姆
　　供电电压：3.3 V
　　功耗：典型 350 mA
　　调制方式：支持 QAM、OFDM
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：64-QFN

GC82R35BAB 采用先进的射频合成技术，具备高线性度和低相位噪声特性，确保信号的高保真传输。
　　其集成的频率合成器支持灵活的频率配置，适用于多种通信标准。
　　该芯片内置温度补偿机制，能够在不同工作环境下保持稳定性能。
　　GC82R35BAB 还具备低功耗设计，有助于延长设备电池寿命并降低系统散热需求。
　　其 64-QFN 封装形式便于表面贴装，适合高密度 PCB 设计。
　　该芯片支持广泛的频率范围，满足 DOCSIS 3.1 和其他宽带标准的需求。
　　GC82R35BAB 还具备良好的抗干扰能力，适用于复杂的电磁环境。

GC82R35BAB 主要应用于 DOCSIS 3.1/3.0 电缆调制解调器、光纤到户（FTTH）终端设备、有线电视头端设备、宽带接入网络（BAN）设备以及数字家庭网关等场景。
　　在这些应用中，GC82R35BAB 可以提供稳定的射频信号输出，支持高速数据传输和多路复用信号处理。
　　此外，该芯片也适用于测试设备、频谱分析仪和通信监测系统等专业仪器中。
　　由于其高集成度和灵活性，GC82R35BAB 也广泛用于工业自动化、远程通信和智能电网等领域的射频模块设计。

GC82R35BAB 的替代型号包括 GC82R35BA 和 GC82R35BAA。