GBLC18C-LF-T7 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效功率开关晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该型号采用常关型(enhancement-mode)结构,适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及快充设备等领域。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
该器件通过优化栅极驱动和封装设计,实现了更高的工作频率和更低的能量损耗,同时支持表面贴装工艺(SMD),有助于提高生产效率和电路板的紧凑性。
额定电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:18mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:1200pF
反向恢复时间:10ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:LFPAK8
GBLC18C-LF-T7 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓材料带来更低的导通电阻和开关损耗,从而提升系统整体效率。
2. 支持高达 MHz 级别的开关频率,适合高频应用场景。
3. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
4. 表面贴装封装(LFPAK8)简化了装配流程,并提高了热性能。
5. 与传统的硅基 MOSFET 相比,具有更小的寄生电感和电容,提升了动态性能。
6. 在高温环境下仍能保持稳定的性能表现,适用于工业和汽车级应用。
GBLC18C-LF-T7 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies),例如 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器,特别是需要高效率和高功率密度的设计。
3. 快速充电器解决方案,用于智能手机、平板电脑等便携式设备。
4. 工业电机驱动和逆变器模块。
5. 太阳能微型逆变器及储能系统中的功率管理部分。
6. 汽车电子系统,如车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器组件。
GBLC18C-LF-T8, GBLC18D-LF-T7, EPC2016C