时间：2025/6/23 14:17:18
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GBLC18-LF-T7是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为低导通电阻和高效率的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和热性能，适用于各种电源管理和功率转换场景。
该型号属于GBLC系列，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而降低了传导损耗和开关损耗。其封装形式通常为LF系列的小型化表面贴装类型，能够有效提升电路板的空间利用率并简化设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：60nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：LF
GBLC18-LF-T7具备极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，它拥有快速的开关速度和较低的栅极电荷，非常适合高频应用环境。
此外，该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，在高温或高负载条件下仍能保持稳定的性能。其小型化的LF封装进一步提升了安装灵活性，并且支持自动化装配，降低了生产成本。
在保护功能方面，GBLC18-LF-T7内置过温保护和短路保护机制，能够在异常情况下有效避免器件损坏。
GBLC18-LF-T7广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器以及电动工具等领域。
在消费电子领域，它可用于笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器等产品中。工业领域则涵盖了伺服控制系统、机器人驱动和不间断电源(UPS)等场景。
此外，由于其高效率和可靠性的特点，GBLC18-LF-T7也适合新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)等关键部件。
GBLC18-HF-T7
IRF2907ZPBF
FDP5570NZ
Si7847DP
