时间：2025/5/15 8:35:00
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GBLC15CI-LF-T7 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的开关性能和效率，适用于电源管理、无线充电、通信设备以及其他需要高效能转换的应用场景。
这款 GaN 晶体管具有较低的导通电阻和快速的开关速度，可显著减少能量损耗并提高系统整体效率。其出色的热性能也使得它能够在较高温度下稳定运行，非常适合对尺寸和散热有严格要求的设计。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：15A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：高达10MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
1. 基于氮化镓材料，具备优异的高频特性和低导通损耗。
2. 高击穿电压和大电流处理能力，确保在高压环境下的可靠性。
3. 快速开关速度有效降低开关损耗，并提升系统效率。
4. 封装形式紧凑，适合小型化和集成化设计需求。
5. 具备良好的热稳定性，支持高温操作条件下的长期使用。
GBLC15CI-LF-T7 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 无线充电模块中的功率传输组件。
3. 数据中心和服务器的电源管理系统。
4. 工业自动化设备中的驱动电路。
5. 电动汽车充电桩及车载充电器的核心元件。
6. 可再生能源系统的功率调节单元。
GBLC15CI-HD-T9
GBLC20CI-LF-T8
GPT15H60S-LF
