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GA1206Y184JBJBT31G 发布时间 时间:2025/6/12 18:30:22 查看 阅读:6

GA1206Y184JBJBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于通信设备、无线网络系统以及雷达系统中。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具备高增益、高效率和低噪声的特点,能够满足现代无线通信对高频段信号处理的需求。
  其设计旨在提供卓越的线性度和稳定性,在宽频率范围内表现出色,适用于多种复杂的工作环境。

参数

型号:GA1206Y184JBJBT31G
  工作频率范围:1.5GHz 至 2.5GHz
  输出功率:30dBm
  增益:18dB
  电源电压:5V
  静态电流:400mA
  封装形式:QFN-24

特性

GA1206Y184JBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 高效率的功率输出,能够在指定频段内提供稳定的30dBm输出功率。
  2. 采用GaAs HEMT技术,保证了芯片在高频条件下的优异性能。
  3. 内置匹配网络,减少了外部元件的数量,简化了电路设计。
  4. 具备良好的热管理能力,适合长时间连续工作。
  5. 提供较高的增益,同时保持较低的噪声系数,确保信号质量。
  6. 稳定性强,能够在宽温度范围内正常运行,适应各种极端环境。
  7. 封装紧凑,便于集成到小型化设备中。

应用

这款芯片适用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大模块。
  2. WiMAX、LTE等现代移动通信系统的终端设备。
  3. 雷达系统的发射机部分,用于增强信号强度。
  4. 卫星通信设备中的上行链路功率放大。
  5. 工业、科学及医疗(ISM)频段相关应用中的功率放大需求。
  6. 微波点对点通信系统的信号放大组件。

替代型号

GA1206Y184JBJBT32G
  GA1207Y184JBJBT31G
  GA1206Z184JBJBT31G

GA1206Y184JBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-