时间：2025/5/7 22:06:41
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MCR8DCMT4G是英飞凌（Infineon）推出的一款基于CoolMOS技术的超级结MOSFET，主要应用于高效率、高频开关电源及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和低开关损耗的特点，能够显著提高系统的功率密度和效率。
型号：MCR8DCMT4G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(VDS)：650V
连续漏极电流(ID)：4.1A
导通电阻(RDS(on))：2.3Ω（最大值，在25°C时）
栅极电荷(Qg)：17nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1180pF（典型值）
总功耗(Ptot)：20W
工作温度范围(TJ)：-55°C 至 +175°C
MCR8DCMT4G具有出色的开关性能和导通性能，其核心特点包括：
1. 采用CoolMOS技术，降低了导通电阻和开关损耗。
2. 高电压耐受能力（650V），适合多种高压应用环境。
3. 小巧的DPAK封装设计，节省电路板空间。
4. 支持高频率开关操作，有助于减小无源元件的尺寸。
5. 提供优异的热稳定性和可靠性，确保长时间运行的安全性。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
MCR8DCMT4G广泛应用于需要高效能功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. LED驱动器中的功率级切换。
4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 电动汽车充电桩和其他车载电子设备。
6. 任何需要高频开关和高效率的应用场合。
MCR8DMT4G, MCR8DMT4G_T2, IPP046N06S4L
