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GBL10 发布时间 时间:2023/3/2 16:27:25 查看 阅读:586

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

    峰值反向电压:1000V

   

目录

概述

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

    峰值反向电压:1000V

    最大RMS反向电压:700V

    正向连续电流:4A

    最大浪涌电流:150A

    正向电压下降:1.1V

    最大反向漏泄电流:5uA

    最大工作温度:+150C

    安装风格:ThroughHole

    封装/箱体:GBL

    封装:Bulk

    最小工作温度:-55C


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GBL10参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 峰值反向电压1000 V
  • 最大 RMS 反向电压700 V
  • 正向连续电流4 A
  • 最大浪涌电流150 A
  • 正向电压下降1.1 V
  • 最大反向漏泄电流5 uA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体GBL
  • 封装Bulk
  • 最小工作温度- 55 C