GBL10
时间:2023/3/2 16:27:25
阅读:586
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
峰值反向电压:1000V
概述
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
峰值反向电压:1000V
最大RMS反向电压:700V
正向连续电流:4A
最大浪涌电流:150A
正向电压下降:1.1V
最大反向漏泄电流:5uA
最大工作温度:+150C
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:GBL
封装:Bulk
最小工作温度:-55C
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GBL10参数
- 制造商GeneSiC Semiconductor
- 峰值反向电压1000 V
- 最大 RMS 反向电压700 V
- 正向连续电流4 A
- 最大浪涌电流150 A
- 正向电压下降1.1 V
- 最大反向漏泄电流5 uA
- 最大工作温度+ 150 C
- 安装风格Through Hole
- 封装 / 箱体GBL
- 封装Bulk
- 最小工作温度- 55 C