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GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
时间:
2023/3/3 14:52:01
阅读:
399
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
目录
概述
资料
概述
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
产品:SchottkySiliconCarbideDiodes
封装:Bulk
资料
厂商
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-220推荐供应商
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产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价
GB05SLT12-220
深圳市源鸿泰电子有限公司
54145
GeneSiC Semiconductor
22+/TO220AC
GB05SLT12-220
深圳市集好芯城科技有限公司
22806
GENESIC
22+/TO220
GB05SLT12-220
无锡固电半导体股份有限公司
3000
isc/无锡固电半导体
2024+/TO2202L
GB05SLT12-220
蓝界科技(深圳)有限公司
16523
GeneSiCSe
18+/TO2202
GB05SLT12-220资料
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GB05SLT12-220
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V...
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IC词条百科
BQ4013YMA-70N
ZGP323HSS2016C
STM32F103C6T7A
DDTC144ELP-7
XT9MLNLANA8M
AK4385ET-E2
ADS7870EA
PSD813F1A-90U
W3A41C103MAT2A
FQD19N10LTM
GB05SLT12-220参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品
Schottky Silicon Carbide Diodes
峰值反向电压
1200 V
正向连续电流
5 A
最大浪涌电流
32 A
恢复时间
25 ns
正向电压下降
1.9 V
最大反向漏泄电流
26 uA
最大功率耗散
42 W
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Bulk
最大二极管电容
20 pF
工厂包装数量
50