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GB05SLT12-220 发布时间 时间:2023/3/3 14:52:01 查看 阅读:387

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

 

目录

概述

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

    产品:SchottkySiliconCarbideDiodes

    封装:Bulk


资料

厂商
GeneSiC Semiconductor

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GB05SLT12-220参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Silicon Carbide Diodes
  • 峰值反向电压1200 V
  • 正向连续电流5 A
  • 最大浪涌电流32 A
  • 恢复时间25 ns
  • 正向电压下降1.9 V
  • 最大反向漏泄电流26 uA
  • 最大功率耗散42 W
  • 工作温度范围- 55 C to + 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Bulk
  • 最大二极管电容20 pF
  • 工厂包装数量50