时间：2025/6/29 4:48:37
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HM15N10D是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于各种电子电路中，主要用作开关或放大器件。该型号具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换场景，例如直流-直流转换器、负载开关以及电机驱动等应用。HM15N10D的耐压等级为10V，适合在低压系统中使用。
该MOSFET的设计优化了其动态性能和静态特性，使其能够在高频条件下保持高效的运行状态。同时，其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，非常适合对尺寸有严格要求的应用场合。
最大漏源电压：10V
连续漏极电流：15A
栅极电荷：18nC
输入电容：650pF
导通电阻：1.2mΩ
工作温度范围：-55℃至+175℃
HM15N10D的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效降低功耗并提升效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作。
3. 高雪崩耐量能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑的封装设计，便于集成到小型化产品中。
5. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
HM15N10D可应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流-直流转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统的保护与控制。
4. 消费类电子产品的负载开关。
5. 小型电机驱动及控制电路。
6. 光伏逆变器中的功率调节模块。
IRLZ44N, FDN367P, BSS138
