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GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
时间:
2023/3/3 15:00:09
阅读:
283
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
目录
概述
资料
概述
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
产品:SchottkySiliconCarbideDiodes
封装:Bulk
资料
厂商
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220推荐供应商
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产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价
GB02SLT12-220
深圳市源鸿泰电子有限公司
54145
GeneSiC Semiconductor
22+/TO220AC
GB02SLT12-220
无锡固电半导体股份有限公司
5000
isc/固电半导体
2024+/TO2202L
GB02SLT12-220
深圳市集好芯城科技有限公司
5030
GENESIC
22+/TO220
GB02SLT12-220
蓝界科技(深圳)有限公司
16523
GeneSiCSe
18+/TO2202
GB02SLT12-220资料
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GB02SLT12-220
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V...
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IC词条百科
INA198AQDBVRQ1
GD25Q40CTIG
IRFL014NTRPBF
KXPC8260CZUIHBC
ZGP323LEH2804C
DAC716U
ZSR1200CL
KBP06M
PT8103N
STM32F107RCT6
GB02SLT12-220参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品
Schottky Silicon Carbide Diodes
峰值反向电压
1200 V
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
18 A
恢复时间
17 ns
正向电压下降
1.8 V
最大反向漏泄电流
8 uA
最大功率耗散
42 W
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Bulk
最大二极管电容
16 pF
工厂包装数量
50