工作频率：DC ~ 6000 MHz
　　增益：20.5 dB
　　增益平坦度：±0.5 dB
　　噪声系数：4.2 dB
　　输出P1dB：+18.5 dBm
　　输出IP3：+32 dBm
　　工作电压：3 ~ 12 V
　　工作电流：45 mA
　　输入回波损耗：-10 dB
　　输出回波损耗：-15 dB
　　封装类型：6引脚SMT
　　工作温度：-40 ~ +85 °C

GALI-52+ 的核心优势之一是其极宽的工作频率范围，覆盖从直流到6 GHz的频段，这使得它能够广泛应用于多种射频场景，包括但不限于无线通信前端、中频放大、本地振荡器缓冲、雷达接收机以及测试仪器中的信号调理电路。该器件采用了硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）技术，这种先进的半导体工艺不仅提升了高频响应能力，还显著改善了器件的噪声性能和功率效率。相比传统的GaAs或FET工艺，SiGe技术在成本、集成度和可靠性方面更具优势，尤其适合大批量生产和消费类/工业级产品使用。
　　在增益性能方面，GALI-52+ 提供高达20.5 dB的标称增益，并在整个工作频带内保持±0.5 dB以内的增益平坦度，这意味着输出信号幅度波动极小，有助于维持系统的整体信号完整性。这对于多载波系统或多通道接收机尤为重要，因为任何增益起伏都可能导致信道间失配或解调误差。此外，该放大器的输入和输出端口均内置宽带匹配网络，分别实现了-10 dB和-15 dB的回波损耗，有效减少了因阻抗失配引起的信号反射和驻波比问题，从而提升系统稳定性。
　　线性度方面，GALI-52+ 表现出色，具有+18.5 dBm的输出1 dB压缩点（P1dB）和高达+32 dBm的输出三阶交调截点（OIP3）。这一特性使其能够在存在强干扰信号的环境中仍保持良好的信号保真度，适用于高动态范围接收系统。例如，在软件定义无线电（SDR）或频谱监测设备中，放大器必须同时处理微弱信号和较强邻道信号，此时高IP3值可以有效抑制互调产物的生成，避免虚假响应。
　　该模块的直流供电灵活，支持3V至12V宽电压输入，典型工作电流为45mA（5V时），功耗低且适应性强，可用于电池供电或固定电源系统。其内部集成偏置电路通过单一RF扼流电感即可完成供电注入，无需额外的有源偏置网络，简化了设计并节省PCB空间。另外，GALI-52+ 对电源去耦要求较低，通常只需在电源引脚附近放置一个0.1μF陶瓷电容即可满足稳定工作需求，降低了EMI风险和布局复杂性。
　　封装上，GALI-52+ 采用6引脚表面贴装技术（SMT）封装，外形小巧（约2.0mm x 3.0mm x 1.1mm），非常适合自动化贴片生产。其热性能良好，可通过PCB焊盘有效散热，无需外加散热片。综合来看，GALI-52+ 凭借其宽带、高增益、低噪声、高线性度及易用性等特点，成为现代射频系统中极具性价比的通用放大器解决方案。

GALI-52+ 广泛应用于各类射频与微波系统中，典型用途包括宽带接收机前端放大、本振（LO）缓冲放大器、中频（IF）放大链路、天线信号增强模块、测试与测量仪器中的增益级联、软件定义无线电（SDR）、雷达信号处理单元、卫星通信终端以及无线基础设施设备等。由于其从DC开始的频率响应能力，该器件特别适合用于直流耦合或超低频信号放大的场合，如某些高速数据采集系统或光电探测器后级放大。在测试设备中，GALI-52+ 常被用作信号发生器或频谱仪内部的中间增益模块，以补偿滤波器或混频器带来的插入损耗。此外，在毫米波前端系统中，虽然主频可能超出其6GHz上限，但GALI-52+ 可作为低频控制信号或本地振荡路径中的驱动放大器使用。其高线性度也使其适用于需处理调制信号的数字通信系统，例如QAM或OFDM调制环境下的模拟信号调理环节。由于具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件还可用于车载电子、航空航天及工业传感等领域。

GALI-51+
　　GALI-53+
　　ZFL-500HL+