TFM-115-01-L-D-K 是一款高精度薄膜电阻网络芯片,专为需要稳定性和低温度系数的电路设计。该元器件采用薄膜技术制造,具备出色的长期稳定性、高精度和低噪声特性。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,例如消费电子、工业控制和通信设备等领域。
型号:TFM-115-01-L-D-K
类型:薄膜电阻网络
阻值范围:100Ω 至 10kΩ
公差:±0.1%
温度系数:±25 ppm/°C
额定功率:0.1W
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:DIP/SMD兼容
引脚数:8
TFM-115-01-L-D-K 使用先进的溅射工艺在陶瓷基板上形成薄膜电阻层,从而实现极高的精度和稳定性。该器件具有以下特点:
1. 高精度:阻值误差仅为 ±0.1%,适合精密测量和控制应用。
2. 低温度系数:±25 ppm/°C 的温度系数确保在宽温度范围内性能稳定。
3. 小尺寸设计:紧凑的封装形式节省了电路板的空间。
4. 低噪声:由于薄膜材料的特性,TFM-115-01-L-D-K 在高频条件下表现出极低的噪声水平。
5. 长期稳定性:经过长时间老化测试后,阻值变化小于 ±0.05%,适用于对可靠性要求较高的场景。
6. 兼容性强:支持 DIP 和 SMD 安装方式,方便设计人员灵活选择。
TFM-115-01-L-D-K 广泛应用于需要高精度电阻网络的各种领域,包括但不限于:
1. 消费电子产品中的音频信号处理和滤波电路。
2. 工业自动化系统中的传感器接口和信号调理电路。
3. 通信设备中的匹配网络和衰减器。
4. 医疗仪器中的精密放大器和参考电压生成电路。
5. 测试与测量设备中的数据采集系统。
该芯片凭借其优异的性能,在以上应用场景中能够显著提高系统的整体性能和可靠性。
TFM-115-01-H-D-K
TFM-115-01-M-D-K
TFM-115-01-N-D-K