时间：2025/12/28 12:55:55
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GALI-11DD是一款由Analog Devices公司生产的GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET）低噪声放大器（LNA），广泛应用于射频和微波通信系统中。该器件在2GHz至12GHz的宽频率范围内表现出优异的低噪声性能和高增益特性，适合于需要高性能射频前端的应用场景。GALI-11DD采用PHEMT（伪高电子迁移率晶体管）工艺制造，提供出色的线性度和稳定性，适用于各种无线通信设备。
工作频率范围：2 GHz至12 GHz
增益：典型值为21.5 dB
噪声系数：典型值为0.8 dB
输出IP3（三阶交调截距）：+25 dBm
工作电压：5 V
工作电流：70 mA
封装形式：8引脚DDIP（Dual In-line Package）
输入和输出阻抗：50 Ω
VSWR（输入/输出）：1.5:1（典型值）
GALI-11DD具有出色的宽带放大性能，覆盖从2 GHz到12 GHz的广泛频率范围，适用于多频段或多标准通信系统。该放大器的噪声系数低至0.8 dB，能够有效减少信号链中的噪声引入，提高接收机的灵敏度。
其高增益特性（21.5 dB）确保了对微弱信号的有效放大，同时输出IP3高达+25 dBm，使其在面对强信号时仍能保持良好的线性度，减少信号失真。
GALI-11DD采用5V单电源供电，工作电流为70 mA，具有良好的功耗表现，适用于便携式或电池供电设备。此外，其8引脚DDIP封装便于PCB布局和散热管理，提高了设计的灵活性和可靠性。
该器件具有良好的输入和输出驻波比（VSWR）性能，典型值为1.5:1，减少了信号反射，提高了系统的匹配性能。内置的直流阻断电容也使得用户无需额外添加输入/输出耦合电容，简化了外围电路设计。
GALI-11DD主要用于无线通信系统中的射频前端，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、卫星通信、微波链路、测试与测量设备以及雷达系统等。由于其宽频带特性和优异的低噪声性能，该器件也适用于多频段或多标准接收机的通用低噪声放大器设计。
GALI-11DD的替代型号包括HMC414LC和BGA2707。HMC414LC是由Analog Devices（前Hittite）推出的宽带低噪声放大器，工作频率为0.1 GHz至6 GHz，具备类似性能；BGA2707是NXP公司推出的LNA，适用于5G和Wi-Fi 6等新兴通信标准，具备更高的集成度和优化的噪声性能。
