GALI-04F 时间：2025/12/28 13:58:59 阅读：16

GALI-04F是一款由Analog Devices公司生产的低成本、低噪声、高线性度的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET）放大器模块。该器件广泛应用于射频（RF）和微波通信系统中，特别适合需要高增益和低噪声系数的前端放大应用。GALI-04F采用表面贴装封装形式，具有良好的热稳定性和机械可靠性。

参数

工作频率范围：DC至10 GHz
　　增益：典型值20 dB（频率范围内的平坦度良好）
　　噪声系数：典型值为2.5 dB
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+35 dBm
　　工作电压：+12V至+15V
　　工作电流：典型值为120 mA
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　封装形式：6引脚SMT（表面贴装技术）

特性

GALI-04F具备优异的宽带性能，适用于从直流到10 GHz的广泛频率范围，适用于多种射频应用。其高线性度特性使其在多载波系统中表现出色，能有效减少互调干扰。
　　该放大器具有良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的增益和输出功率。此外，GALI-04F的低噪声系数使其成为射频接收前端的理想选择，有助于提高系统的整体灵敏度。
　　由于其采用GaAs FET技术，GALI-04F在高频率下仍能保持较高的效率和稳定性。同时，该模块内置匹配网络，减少了外围电路的设计复杂度，简化了系统集成过程。
　　表面贴装封装设计便于自动化装配，并提高了模块的可靠性，适用于工业级和商业级设备。