类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　齐纳电压：6.2V
　　容差：±1%
　　最大齐纳电流：100mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　引脚数：2
　　极性：单向
　　最大反向漏电流（VR）：< 100nA
　　最大动态电阻（Zzt）：25Ω
　　封装材料：塑料/环氧树脂

HZM6.2DB1TL具有优异的电压稳定性和较低的动态电阻，使其在负载变化或输入电压波动时仍能维持输出电压的稳定性。该器件的封装形式为SOD-123，体积小巧，适用于高密度PCB布局。此外，其±1%的高精度电压容差确保了在关键应用中的可靠性。HZM6.2DB1TL的温度系数较低，通常在-55°C至+150°C的工作温度范围内保持良好的稳定性，适用于工业级和汽车级应用。
　　该齐纳二极管的结构设计确保了在额定功率下的可靠运行，最大功耗为300mW，能够在有限的散热条件下工作。HZM6.2DB1TL还具有较低的反向漏电流，通常在未击穿状态下低于100nA，有助于减少电路的静态功耗。此外，其快速响应特性使其适用于瞬态电压抑制和过压保护场合。
　　该器件采用无卤素材料制造，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。

HZM6.2DB1TL广泛应用于各类电子设备中，作为电压参考源、过压保护元件或信号电平调节器。典型应用场景包括电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、模拟和数字电路中的基准电压源、传感器信号调节电路等。此外，该器件也常用于通信设备、工业控制系统、汽车电子模块以及消费类电子产品中，提供可靠的电压控制和保护功能。

HZM6.2DB1T, HZM6.2DB1W, MMSZ5231B-7-F, BZT52C6V2-7-F