类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：50 A
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：600 A
　　最大正向电压降（VF）：1.7 V @ 50A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：100 μA @ 1200V, 25°C；5 mA @ 1200V, 175°C
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　储存温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +185 °C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2 K/W
　　封装类型：TO-247-3L
　　安装扭矩：1.0 N·m

GA50TS120K的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件具备极低的反向恢复电荷（Qrr），典型值低于5nC，几乎不存在反向恢复电流尖峰，这极大地减少了开关过程中的能量损耗，尤其在高频DC-DC变换器或三相逆变器中可显著提高整体能效。其次，由于SiC材料的宽禁带特性，其本征载流子浓度远低于硅，因此在高温环境下仍能保持良好的阻断能力，即使在175°C结温下反向漏电流也仅为5mA，确保了长期运行的稳定性。此外，该器件拥有出色的热传导性能，结合1.2K/W的低热阻结至壳参数，使得热量能够高效传递至散热器，降低了热应力对器件寿命的影响，提升了系统的功率密度和可靠性。
　　另一个关键特性是其优异的动态响应能力。在高频开关应用中，传统硅二极管因存在较大的反向恢复电荷而容易引发电压振荡和电磁干扰（EMI），导致额外的功率损耗甚至损坏主开关器件如IGBT或MOSFET。而GA50TS120K由于没有P-N结，仅依靠金属-半导体势垒实现单向导通，从根本上消除了少数载流子存储效应，从而避免了反向恢复问题。这一特性使其非常适合用于LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路等对效率和EMI控制要求极高的拓扑结构。同时，其快速的动态响应也有助于减小滤波元件体积，进一步缩小系统尺寸。
　　从机械与封装角度看，TO-247-3L封装提供了良好的电气隔离和机械强度，引脚布局优化便于PCB布线和多管并联使用。该封装支持压接式或螺钉固定安装，适应多种散热方案。此外，器件表面标记清晰，批次可追溯性强，满足工业生产和质量管控的需求。综合来看，GA50TS120K不仅在电气性能上领先，也在热管理、可靠性和系统集成方面展现出强大竞争力，是现代高效能电源系统不可或缺的关键组件。

GA50TS120K主要应用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的电力电子系统。在光伏发电领域，它常被用作逆变器中的续流二极管或升压斩波电路中的输出整流元件，因其低导通压降和零反向恢复特性可有效提升MPPT追踪效率并减少系统温升。在电动汽车方面，该器件广泛应用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中作为核心整流单元，有助于实现超过98%的转换效率。在直流快充桩中，GA50TS120K用于高压直流母线的续流与保护回路，能够在频繁启停和高负载条件下稳定运行。
　　此外，该器件适用于工业电机驱动系统中的制动单元和逆变桥臂续流路径，能够承受高di/dt冲击并提供快速响应。在通信电源和服务器PSU中，其高频低损特性有助于实现高密度电源模块的设计，满足数据中心对节能和空间利用的双重需求。同时，在不间断电源（UPS）和储能变流器（PCS）系统中，GA50TS120K可用于双向AC/DC变换器的无功回馈通路，提升系统动态响应能力和运行效率。由于其通过AEC-Q101认证，也逐步进入新能源汽车主驱逆变器的辅助电源和传感器供电模块等车规级应用场景。总体而言，该器件凭借其宽温域工作能力、高耐压和低损耗特性，已成为现代绿色能源和智能电网基础设施中的关键支撑元件。

Wolfspeed（原Cree）C5D50120D
　　ON Semiconductor NS50TD120N2
　　Infineon IDW50S120C
　　ROHM SCSD50120FBR

以上信息基于公开数据整理，实际应用时请参考官方最新规格书。