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GA1812Y823MXAAR31G 发布时间 时间:2025/7/3 14:23:56 查看 阅读:8

GA1812Y823MXAAR31G 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,适用于高效率电源转换、电机驱动和开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够提供较低的导通电阻和高效的开关性能。其封装形式支持表面贴装工艺,适合大规模自动化生产。

参数

型号:GA1812Y823MXAAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):80V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总闸极电荷(Qg):65nC
  开关速度:快速开关型
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-263-3

特性

GA1812Y823MXAAR31G具备低导通电阻的特点,可以显著降低传导损耗,提升系统效率。同时,其快速的开关性能有助于减少开关损耗,非常适合高频应用环境。
  该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够在恶劣的工作条件下保持可靠性。此外,它采用了优化的封装设计,便于散热管理,并支持表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了装配效率。
  其宽广的工作温度范围使得它能够适应各种极端环境下的应用需求,无论是高温还是低温场景都能保证稳定的性能表现。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  5. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)与牵引逆变器组件。
  由于其优异的电气特性和机械稳定性,GA1812Y823MXAAR31G成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA1812Y823MXAAR31G-D, IRF840, STP30NF10

GA1812Y823MXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-