GA1812Y823MXAAR31G 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,适用于高效率电源转换、电机驱动和开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够提供较低的导通电阻和高效的开关性能。其封装形式支持表面贴装工艺,适合大规模自动化生产。
型号:GA1812Y823MXAAR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总闸极电荷(Qg):65nC
开关速度:快速开关型
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:TO-263-3
GA1812Y823MXAAR31G具备低导通电阻的特点,可以显著降低传导损耗,提升系统效率。同时,其快速的开关性能有助于减少开关损耗,非常适合高频应用环境。
该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够在恶劣的工作条件下保持可靠性。此外,它采用了优化的封装设计,便于散热管理,并支持表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了装配效率。
其宽广的工作温度范围使得它能够适应各种极端环境下的应用需求,无论是高温还是低温场景都能保证稳定的性能表现。
这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)与牵引逆变器组件。
由于其优异的电气特性和机械稳定性,GA1812Y823MXAAR31G成为许多高要求应用的理想选择。
GA1812Y823MXAAR31G-D, IRF840, STP30NF10