时间：2025/6/22 14:47:43
阅读：5
SI3445DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，旨在提供卓越的导通电阻性能和开关效率。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其非常适合于高频开关应用和高效率电源转换场景。
该器件采用 TO-263-3 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装工艺，具有良好的散热性能。
型号：SI3445DV-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：70A
Qg（总栅极电荷）：19nC
EAS（雪崩能量）：1.8J
封装：TO-263-3 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3445DV-T1-GE3 具有低导通电阻 Rds(on)，这有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。其总栅极电荷 Qg 较低，可以减少开关损耗，特别适合高频应用。
该器件还采用了 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，这种技术通过优化单元结构和材料选择显著提升了器件性能。
此外，SI3445DV-T1-GE3 支持较高的雪崩能量，从而增强了其在异常工作条件下的鲁棒性。
它的封装设计确保了高效的热传导能力，适合需要高功率密度的应用环境。
由于其出色的电气特性和可靠性，该 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载点转换器、同步整流以及电池供电设备中。
该器件适用于多种工业及消费类电子领域中的高效功率管理解决方案。典型应用场景包括：
1. DC/DC 转换器中的功率级开关元件。
2. 同步整流电路以实现更高的转换效率。
3. 开关模式电源（SMPS）的设计与实现。
4. 工业电机驱动和控制。
5. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载切换。
6. 高效节能的 LED 驱动电路。
由于其低导通电阻和快速开关能力，SI3445DV-T1-GE3 是这些应用的理想选择。
SI3446DP, IRF7729TRPBF
