时间：2025/5/23 9:12:22
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GA1812Y823JXEAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高功率晶体管，专为高频、高效能应用而设计。该器件采用了先进的增强型 GaN 工艺，具有卓越的开关速度和低导通电阻特性，适合用于电源管理、无线充电、工业电源、通信设备等领域的高性能需求。
其封装形式采用行业标准的表面贴装技术 (SMD)，能够有效提升散热性能并简化 PCB 布局设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功耗并提高效率。
2. 高频开关能力，适用于高达 MHz 级别的开关频率应用。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件在实际应用中的可靠性。
4. 小尺寸封装，有助于减少整体系统体积。
5. 支持高密度功率转换拓扑结构，如 LLC 谐振转换器和图腾柱 PFC 电路。
6. 具备良好的热稳定性和长期可靠性，适合恶劣环境下的工业和汽车应用。
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 数据中心服务器电源和电信基站电源。
3. 快速充电器和无线充电设备。
4. 工业电机驱动和逆变器控制。
5. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车车载充电器。
6. 高频放大器及雷达系统的功率模块。
KJ1812G823JXEA31G, GA1812Y823JXEAQ31G
