容量：8K x 8位
　　访问时间：25ns
　　电源电压：+5V（逻辑）和+12V（写入）
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装类型：28引脚DIP或SOIC
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大功耗：约300mA（典型值）
　　封装尺寸：根据封装类型不同而异
　　引脚数：28

MCM6264DP25 的显著特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为25纳秒，这使得它非常适合用于需要快速数据读取和写入的应用场景。该芯片采用了先进的CMOS技术制造，确保了较低的静态功耗，同时在高速运行时仍能保持良好的稳定性。其双电源设计（+5V用于逻辑控制，+12V用于写入操作）使其在不同的系统中具有较高的兼容性。
　　此外，MCM6264DP25 具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在各种工业环境下可靠运行。它的输入/输出接口与TTL电平兼容，使得与微处理器、控制器及其他外围设备的连接更加简便。该芯片还支持异步读写操作，允许用户根据系统需求灵活控制数据的存取。

MCM6264DP25 被广泛应用于各种需要高速静态存储器的场合。例如，在嵌入式系统中，它可以用作高速缓存、数据缓冲器或临时程序存储器，适用于早期的工业控制设备、自动化系统、数据采集系统和通信模块。由于其高速访问能力和良好的稳定性，MCM6264DP25 也常见于老式的个人计算机、打印机、绘图仪等外设设备中，用于存储临时数据或固件信息。
　　在工业自动化领域，MCM6264DP25 可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的高速数据缓存，帮助提高控制系统的响应速度。此外，它也适用于测试仪器和测量设备，如示波器、频谱分析仪等，作为临时数据存储单元，支持快速的数据采集和处理。

MCM6264DJ25, MCM6264DP25E, CY6264BLL-55DC, IDT7164SA25J