时间：2025/5/21 22:21:44
阅读：5
GA1812Y684KXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于各种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，广泛应用于工业、消费电子和通信领域。
型号：GA1812Y684KXBAR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值）
功耗(PD)：175W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GA1812Y684KXBAR31G 提供了卓越的电气性能，其低导通电阻显著降低了功率损耗，并提高了整体效率。此外，该器件具有快速的开关速度和较低的栅极电荷，这使得它非常适合高频开关应用。
该芯片还设计有强大的散热性能，能够承受较高的结温，从而在高温环境中保持稳定运行。
同时，其坚固的结构和优化的内部设计有助于增强可靠性，减少故障率，特别是在严苛的工作条件下。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS) 和太阳能逆变器等场景中。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，它特别适合需要高效功率传输和快速动态响应的应用环境。
此外，在电动工具、汽车电子系统和工业自动化设备中也常能见到 GA1812Y684KXBAR31G 的身影。
IRFP2907, STP120NF06L, FDP18N65C3
