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GA1812Y683MBCAR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:25:06 查看 阅读:6

GA1812Y683MBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提升了整体效率并降低了功耗。
  此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合高电流和高频应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:150A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:4500pF
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:D2PAK

特性

GA1812Y683MBCAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗,并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关电路设计。
  3. 高额定电流,确保在大负载条件下稳定运行。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度范围内可靠工作。
  5. 具备优秀的雪崩能力和抗静电性能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 封装采用 D2PAK,便于散热与焊接安装。

应用

该芯片可应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. 电动车辆及工业设备中的电机控制器。
  3. 高效 DC-DC 转换器的核心元件。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
  5. 各类需要高效功率转换的电子设备中。

替代型号

GA1812Y683MBBAR31G
  IRFP2907ZPBF
  STP150N06FP
  FDP18N60

GA1812Y683MBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-