GA1812Y683MBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提升了整体效率并降低了功耗。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合高电流和高频应用环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:150A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:4500pF
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:D2PAK
GA1812Y683MBCAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗,并提高系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频开关电路设计。
3. 高额定电流,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 热稳定性强,能够在极端温度范围内可靠工作。
5. 具备优秀的雪崩能力和抗静电性能,增强了器件的鲁棒性。
6. 封装采用 D2PAK,便于散热与焊接安装。
该芯片可应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电动车辆及工业设备中的电机控制器。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心元件。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
5. 各类需要高效功率转换的电子设备中。
GA1812Y683MBBAR31G
IRFP2907ZPBF
STP150N06FP
FDP18N60