时间：2025/8/6 7:16:18
阅读：30
IXTQ200N085T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率和低导通电阻的应用而设计。这款 MOSFET 的主要特点包括低导通电阻、高耐压能力和强大的电流承载能力，适用于电源转换、电机驱动、UPS 系统以及工业控制等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
漏源击穿电压（VDS）：85V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.5mΩ（典型值 1.9mΩ）
功率耗散（PD）：400W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXTQ200N085T 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。
此外，该器件具有较高的耐压能力（85V），能够在高压环境下稳定工作，同时具备较强的过载和短路保护能力。
该 MOSFET 还采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和可靠性，适合在高温环境中运行。
其 TO-247 封装设计不仅便于安装和散热管理，还能在高功率应用中有效降低热阻，提高器件的热性能。
此外，IXTQ200N085T 的栅极驱动电压范围较宽（通常在 10V 至 20V 之间），允许使用多种驱动电路进行控制，增强了设计的灵活性。
IXTQ200N085T 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：
1. 电源系统：如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、UPS（不间断电源）等，利用其高效率和低导通电阻实现高效的电能转换。
2. 电机控制：用于电机驱动器、电动汽车控制系统和工业自动化设备中，提供高效的功率开关控制。
3. 工业设备：如焊接机、高频逆变器和大功率 LED 驱动等，需要高电流承载能力和稳定工作的场合。
4. 太阳能逆变器和储能系统：用于能量转换和管理，确保系统在高负载下的稳定运行。
由于其优异的电气性能和稳定性，IXTQ200N085T 在工业、汽车、能源等领域中得到了广泛的认可和应用。
SiPF200N85CG, IXTK200N085T
