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GA1812Y683KXBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:50:29 查看 阅读:6

GA1812Y683KXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  这款芯片主要适用于需要高效能功率转换的应用场景,例如消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统等。其封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的设计,适合高密度电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA1812Y683KXBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,满足现代电力电子设备对高频性能的需求。
  3. 优化的热设计,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
  4. 具备强大的雪崩能力和抗静电能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅工艺制造。
  6. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时保持优秀的散热表现。

应用

该芯片的主要应用领域涵盖以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
  2. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化控制中的功率管理模块。
  5. 消费类电子产品的适配器和充电器解决方案。
  6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中的功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AON6961

GA1812Y683KXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-