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GA1812Y563JXBAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 12:45:19 查看 阅读:7

GA1812Y563JXBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率功率转换场景。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高速开关性能之间实现了良好的平衡,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  该器件具有出色的热特性和电气稳定性,能够在严苛的工作环境下保持可靠的性能表现。其封装形式专为高功率密度应用设计,有助于提高电路板空间利用率。

参数

型号:GA1812Y563JXBAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):75nC
  总电容(Ciss):3500pF
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,适用于高效能功率转换场景。
  2. 高速开关能力,能够支持高频操作,满足现代电源系统对小型化和高效率的需求。
  3. 强大的浪涌电流承受能力,确保在突发负载条件下仍能稳定运行。
  4. 内置静电防护功能,增强芯片在实际使用中的抗干扰能力。
  5. 采用紧凑型封装设计,节省PCB布局空间,同时具备优秀的散热性能。
  6. 广泛的工作温度范围,使其适用于各种工业环境和极端气候条件下的应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)的设计与优化。
  2. DC-DC转换器中的功率级控制。
  3. 电机驱动和逆变器电路。
  4. 充电器和适配器中的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率开关组件。
  6. 汽车电子系统中的负载切换控制。

替代型号

GA1812Y563JXBAT29G
  IRF540N
  STP40NF06L

GA1812Y563JXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-