时间：2025/7/5 0:39:54
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GA1812Y223MBLAR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，主要用于高频和高功率应用。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等优点，适用于通信、工业电源、数据中心电源以及新能源领域中的功率转换设备。
该型号属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT），在高频工作条件下展现出卓越的性能，同时支持更高的功率密度和更小的系统体积。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ
连续漏极电流（Id）：20A
输出电容（Coss）：70pF
输入电容（Ciss）：1800pF
反向传输电容（Crss）：25pF
最大工作结温（Tj）：175°C
封装形式：TO-247-4L
1. 高效的功率转换能力，得益于其低导通电阻和快速开关特性。
2. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
3. 支持高频操作，减少磁性元件的体积和重量，从而降低整体系统成本。
4. 内置 ESD 保护电路，增强了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
6. 提供了更高的功率密度和更小的解决方案尺寸，适用于紧凑型设计需求。
7. 稳定的工作状态，在各种负载条件下均能保持良好的电气性能。
1. 数据中心电源供应单元（PSU）。
2. 工业用开关电源（SMPS）。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 电动车充电站中的直流-直流和直流-交流转换器。
5. 通信基站中的高效功率放大器。
6. 消费类快充适配器和其他便携式设备的高效电源管理方案。
GAN063-650WSA
TP65H045G4
GD065R009K
GXT065R007B
