11N40 时间：2025/8/25 4:00:48 阅读：20

11N40是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。11N40采用TO-220或DPAK等常见封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：94W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220、DPAK

特性

11N40具有多项优异的电气和热性能，适合高效率功率转换应用。
　　首先，该MOSFET的漏源电压为400V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。
　　其次，其导通电阻RDS(on)典型值为0.38Ω，在工作电流下可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件的连续漏极电流为11A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率应用。
　　11N40采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。
　　其封装形式如TO-220或DPAK具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，并具备一定的过压保护能力。
　　整体而言，11N40在性能与封装方面取得了良好的平衡，适合多种功率电子系统的设计需求。

应用

11N40主要用于中高功率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，用于高效转换电能。
　　在DC-DC转换器中，11N40可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现电压调节和能量传输。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，作为功率开关控制电机的启停和转速。
　　在工业控制和自动化设备中，11N40可用于负载开关，实现对高功率负载的通断控制。
　　在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，提高照明系统的效率和稳定性。
　　由于其高耐压和大电流特性，11N40也广泛用于逆变器、不间断电源（UPS）以及家用电器中的功率控制部分。