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GA1812A821GBGAT31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:40:19 查看 阅读:8

GA1812A821GBGAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  该器件为N沟道增强型MOSFET,适用于高电流应用场合,并且封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和散热设计优化。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:40ns
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
  2. 快速的开关速度使得它非常适合高频应用环境。
  3. 具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作条件下长期运行。
  4. 内置ESD保护电路以提升抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 封装紧凑,适合现代电子设备的小型化需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  4. 工业控制领域中的功率变换与调节。
  5. 高效DC-DC转换器的核心功率元件。
  6. 各种电池管理系统(BMS)中的保护和均衡功能实现。

替代型号

IRF3205, FDP5500, STP36NF06L

GA1812A821GBGAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-